Транзистор - полупроводниковый прибор с двумя переходами и тремя
выводами для включения в электрическую цепь.
n-p-n - транзистор образует три тонких слоя примесных полупроводников: эмиттер, базу Рё коллектор. Рмиттер, являющийся РІ транзисторе источником свободных электронов, изготовляется РёР· полупроводника типа СЃ высокой концентрацией примеси. База, регулирующая силу тока РІ
n-p-n - транзисторе, представляет особенно тонкий слой (толщиной порядка 10 мкм) полупроводника типа с небольшой концентрацией примеси. Коллектор, перехватывающий поток носителей заряда, идущий от эмиттера через базу, имеет с этой целью наибольшую площадь контакта. Коллектор изготовляется из полупроводника n-типа с небольшой концентрацией примеси.
В n-p-n - транзисторе основным носителями заряда являются свободные электроны,
движущиеся от эмиттера к коллектору. Соответственно ток, за направление которого принимается направленное движение положительных зарядов, протекает от коллектора к эмиттеру. Поэтому на условном обозначении
p-n-p - транзистора стрелка направлена от базы к эмиттеру. Аналогично устройство и
p-n-p - транзистора, РІ котором основными носителями заряда являются дырки, движущиеся РѕС‚ эмиттера Рє коллектору. Р’ этом же направлении протекает ток через эмиттер. Рто учитывается РІ условном обозначении РЅР° схемах
p-n-p - транзистора, где стрелка направлена от
эмиттера к базе.
Если n-p-n - транзистор не включен в электрическую цепь. То на
p-n - переходах образуется запирающий слой. При подключении транзистора в электрическую цепь по схеме, приведённой на рисунке, на
n-p - переход эмиттер - база подаётся небольшое прямое напряжение, а на
p-n - переход база - коллектор обратное напряжение.
При прямом включении напряжения свободные электроны из эмиттера диффундируют в базу и благодаря её малой толщине почти все достигают коллекторного перехода. Под действием положительного потенциала источника электроны притягиваются к коллектору, так что через сопротивление протекает сила тока. Сила тока, протекающего через коллектор (и соответственно через сопротивление нагрузки), значительно превышает силу тока через базу.
Небольшая сила тока через базу вызывает значительную силу тока в нагрузке, поэтому транзистор, может бать использован для усиления электрических сигналов.
Распределение зарядов и направление токов в транзисторе, не включенном в аналогичную электрическую цепь, показаны на рисунке.
Противоположная полярность источников тока в схеме на рисунке, по сравнению с предыдущей схемой объясняется тем, что в
p-n-p - транзисторе основными носителями зарядов являются дырки из эмиттера.