Транзистор - полупроводниковый РїСЂРёР±РѕСЂ СЃ РґРІСѓРјСЏ переходами Рё тремяСхема транзистора выводами для включения РІ электрическую цепь. n-p-n - транзистор образует три тонких слоя примесных полупроводников: эмиттер, базу Рё коллектор. Эмиттер, являющийся РІ транзисторе источником свободных электронов, изготовляется РёР· полупроводника типа СЃ высокой концентрацией примеси. База, регулирующая силу тока РІ n-p-n - транзисторе, представляет особенно тонкий слой (толщиной РїРѕСЂСЏРґРєР° 10 РјРєРј) полупроводника типа СЃ небольшой концентрацией примеси. Коллектор, перехватывающий поток носителей заряда, идущий РѕС‚ эмиттера через базу, имеет СЃ этой целью наибольшую площадь контакта. Коллектор изготовляется РёР· полупроводника n-типа СЃ небольшой концентрацией примеси. Р’ n-p-n - транзисторе основным носителями заряда являются свободные электроны,  движущиеся РѕС‚ эмиттера Рє коллектору. Соответственно ток, Р·Р° направление которого принимается направленное движение положительных зарядов, протекает РѕС‚ коллектора Рє эмиттеру. Поэтому РЅР° условном обозначении p-n-p - транзистора стрелка направлена РѕС‚ базы Рє эмиттеру. Аналогично устройство Рё p-n-p - транзистора, РІ котором основными носителями заряда являются дырки, движущиеся РѕС‚ эмиттера Рє коллектору. Р’ этом же направлении протекает ток через эмиттер. Это учитывается РІ условном обозначении РЅР° схемах p-n-p - транзистора, РіРґРµ стрелка направлена РѕС‚ Электрические заряды Рё направление токов РІ n-p-n - транзистореЭлектрические заряды Рё направление токов РІ p-n-p - транзисторе эмиттера Рє базе. Если n-p-n - транзистор РЅРµ включен РІ электрическую цепь. РўРѕ РЅР° p-n - переходах образуется запирающий слой. РџСЂРё подключении транзистора РІ электрическую цепь РїРѕ схеме, приведённой РЅР° СЂРёСЃСѓРЅРєРµ, РЅР° n-p - переход эмиттер - база подаётся небольшое РїСЂСЏРјРѕРµ напряжение, Р° РЅР° p-n - переход база - коллектор обратное напряжение. РџСЂРё РїСЂСЏРјРѕРј включении напряжения свободные электроны РёР· эмиттера диффундируют РІ базу Рё благодаря её малой толщине почти РІСЃРµ достигают коллекторного перехода. РџРѕРґ действием положительного потенциала источника электроны притягиваются Рє коллектору, так что через сопротивление протекает сила тока. Сила тока, протекающего через коллектор (Рё соответственно через сопротивление нагрузки), значительно превышает силу тока через базу. Небольшая сила тока через базу вызывает значительную силу тока РІ нагрузке, поэтому транзистор, может бать использован для усиления электрических сигналов. Распределение зарядов Рё направление токов РІ транзисторе, РЅРµ включенном РІ аналогичную электрическую цепь, показаны РЅР° СЂРёСЃСѓРЅРєРµ. Противоположная полярность источников тока РІ схеме РЅР° СЂРёСЃСѓРЅРєРµ, РїРѕ сравнению СЃ предыдущей схемой объясняется тем, что РІ p-n-p - транзисторе основными носителями зарядов являются дырки РёР· эмиттера.

Яндекс.Реклама